在电子设计中，产品往往要经过 EMC 测试，例如 IEC61000-4-5 标准的 EMC 测试，也就是通过模拟静电、浪涌等电子危害来验证电子产品的可靠性。然而，静电，电涌等这些具有非常大的瞬态能量的干扰，会对集成电路造成破坏，所以在实际工程应用中我们会考虑使用 TVS 进行抑制保护。
根据干扰能量等级的不同，我们会选择不同瞬态功率的 TVS（Pppm=钳位电压×瞬态峰值电流），也就是 TVS 瞬态电流（Ippm）的承受能力。为了获得大一些的承受能力（较大的 Pppm），TVS 的截面积就会增加，然而，这样就会导致电容量 C 的增加。C 太大将使有用信号衰减，这是不利的，特别是在频率较高的电子系统中。
因此，接下来就介绍两种降低 TVS 管自身寄生电容的两种方法。
一、TVS 管串联二极管
TVS 管自身带有寄生电容，同样，二极管自身也带有寄生电容，将 TVS 管和二极管串联，其实就是将二者的寄生电容串联，以此来减少寄生电容的影响。如图 1 所示。
二极管串联支路是用于正负两种极性暂态过电压保护。普通二极管的寄生电容约为 50pF，该电容与 TVS 的寄生电容串联后，其总的支路电容将有较大幅度的减小。在被保护电子系统正常运行时，当 AB 两线之间电压超过 0.6V 后，普通二极管即开始导通，同时向 TVS 的寄生电容充电，一旦将其充满，作用于二极管上的电压将小于 0.6V，使它停止导通，则这条支路将不再从系统中吸收电流，处于开路状态，从而不影响系统的正常运行。
二、利用整流桥降低 TVS 管的寄生电容
这种方法，类似于第一种方法，如图 2 所示。
在该图中，AB 线间电压必须超过 1.2V 才能将 TVS 寄生电容充电，使保护电路停止从正常运行的系统中吸收电流。当采用分立元件来组装这些保护电路时，元件间连线的寄生电感是一个需要重视的问题。当使用分离元件时，需要使用减小寄生电感的方法。
此外，图 1 和图 2 所示的保护电路通常是，用于抑制差模过电压。为了实施在平衡线路中对共模过电压的防护，可以采用图 3 所示的保护电路。
由于普通二极管动作较慢，因此上述两种方法虽然能减小寄生电容，但同时也带来了副作用，即牺牲了整个保护电路一定的响应速度。因此需要根据具体应用来考量。
此应用的分析是基于电容串联，总电容减小的基本概念。在具体的 TVS 产品中其实也做到了这一点，这些封装的容值可以做的比较低，同里面的二极管有一定关系。
另外集成封装类型的 TVS 由于本身的制造工艺要求，也需要用到这种 TVS 与二极管串接的方式。比如常见的 2510 封装 4 路 TVS，主要用于 HDMI 和 USB3.0，容值可以做到 0.2-0.4PF。
